RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
34
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.7
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.9
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
34
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
16.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3700
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link