RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
64
Autour de 59% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
64
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
2067
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link