RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Comparez
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Note globale
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Note globale
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2143
3961
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link