RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Comparez
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Note globale
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de 15% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
33
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2213
2383
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link