RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Comparez
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Note globale
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
28
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2213
3430
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link