RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Comparez
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs Teclast TLD416G26A30 16GB
Note globale
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Teclast TLD416G26A30 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
36
Autour de 22% latence réduite
Raisons de considérer
Teclast TLD416G26A30 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2213
2719
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Corsair CMZ8GX3M1A1866C10 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
UMAX Technology 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link