RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
51
Autour de -70% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
30
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3046
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link