RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
51
Autour de -46% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
35
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2571
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link