RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
51
Autour de -82% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.2
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
28
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3800
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link