RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
51
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.9
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
32
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
3621
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair VS1GB800D2 1GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link