RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
66
Autour de 23% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.7
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
66
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
1699
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link