RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
49
Autour de -44% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
34
Vitesse de lecture, GB/s
10.2
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2465
3029
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Comparaison des RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link