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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Note globale
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Raisons de considérer
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
52
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
37
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2179
2873
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
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