RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Comparez
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Note globale
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
52
Autour de -108% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
25
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2179
2740
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link