RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Comparez
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Note globale
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Note globale
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
52
Autour de -136% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
22
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2179
3112
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
OCZ OCZ2RPX8002G 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link