RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
44
Autour de -63% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.2
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
3584
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Mushkin 991586 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link