RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Comparez
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
44
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
35
Vitesse de lecture, GB/s
11.2
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2293
3060
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Comparaison des RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link