RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Comparez
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB vs Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Note globale
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Note globale
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
34
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
34
Vitesse de lecture, GB/s
8.0
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1911
2938
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link