RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
27
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
22
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
12.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
1886
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
A-DATA Technology HY64C1C1624ZY 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link