RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
27
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.2
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
23
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
21.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
4043
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link