RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Comparez
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Note globale
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Note globale
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
30
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.6
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
30
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2057
3026
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link