RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
42
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
36
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
3426
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link