Comparaison de la RAM Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Note globale

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

10.6 6.4

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

31 42

Autour de -35% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.4 9.0

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C-H9 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2423 1958

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns