RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
48
104
Autour de -117% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
48
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2080
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Mushkin 991586 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link