RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,404.5
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
104
Autour de -259% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
3434
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link