RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
81
104
Autour de -28% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.0
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
81
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
1523
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 9905403-170.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link