RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Comparez
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Note globale
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
104
Autour de -225% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
2,404.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
104
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,192.0
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,404.5
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
786
2307
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link