RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
74
Autour de -155% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
29
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
16.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
3748
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link