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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Comparez
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Note globale
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Note globale
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
19.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,201.1
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
74
Autour de -139% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
74
31
Vitesse de lecture, GB/s
4,178.4
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,201.1
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
508
3518
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparaison des RAM
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
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