RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
69
Autour de -97% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2607
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link