RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
69
Autour de -97% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
3215
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link