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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
21.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
69
Autour de -200% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.9
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
21.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
16.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
4151
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
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Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
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