RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
69
Autour de -103% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2732
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link