RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Comparez
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Note globale
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Note globale
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
69
Autour de -103% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
1,441.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
69
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,325.1
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,441.2
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
525
2732
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link