RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Comparez
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Note globale
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
50
Autour de -35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
37
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2512
2962
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link