RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Comparez
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Note globale
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
9.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
50
Autour de -72% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
29
Vitesse de lecture, GB/s
15.3
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.9
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2512
2384
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link