RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Comparez
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Note globale
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
42
Autour de 21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
42
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
11.9
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
25600
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2824
2597
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link