RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Comparez
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Note globale
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
45
Autour de 27% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
13.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
45
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
13.0
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2987
3027
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link