RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Comparez
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Note globale
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
46
Autour de -18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
39
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.4
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2660
3177
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link