RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Comparez
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Note globale
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
24
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
17
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.6
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2196
3550
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0WS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link