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Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
79
Autour de 51% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
79
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2264
1710
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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