RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
38
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
23
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2537
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB Comparaison des RAM
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link