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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
38
Autour de -90% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
20
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3120
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
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G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
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