RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
38
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.3
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.2
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
31
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
18.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3738
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link