RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
38
Autour de -27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
30
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3544
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link