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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Kingston K531R8-MIN 4GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Kingston K531R8-MIN 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston K531R8-MIN 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
38
Autour de -36% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR3
Latence dans PassMark, ns
38
28
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
12800
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
2445
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparaison des RAM
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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