RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
38
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
29
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3113
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link