RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
45
Autour de -55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.3
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
29
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
3691
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link