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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
45
Autour de -67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.9
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
27
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
19.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
17.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
3829
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
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G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
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