RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
46
Autour de -92% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
19.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2072
3482
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link