RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
46
Autour de -77% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.8
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
16.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2072
3899
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Kingston 9905403-559.A00LF 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link